[发明专利]半导体ESD电路和方法有效

申请号：	201210005826.8	申请日：	2012-01-10
公开（公告）号：	CN102593122A	公开（公告）日：	2012-07-18
发明（设计）人：	D.阿尔瓦雷斯;K.多曼斯基;A.B.伊勒;C.C.鲁斯;W.佐尔德纳	申请（专利权）人：	英飞凌科技股份有限公司
主分类号：	H01L27/02	分类号：	H01L27/02;H01L21/82
代理公司：	中国专利代理(香港)有限公司 72001	代理人：	王岳;卢江
地址：	德国瑙伊比***	国省代码：	德国;DE
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	本发明涉及半导体ESD电路和方法。在一个实施例中，一种在第一节点和第二节点之间提供保护的静电放电（ESD）电路包括第一MOS器件，其具有耦接到第一节点的第一源极/漏极以及耦接到中间节点的第二源极/漏极。该ESD电路还包括：第一电容器，耦接在第一MOS器件的栅极和第一节点之间；第一电阻器，耦接在第一MOS器件的栅极和中间节点之间；第二MOS器件，具有耦接到中间节点的第一源极/漏极和耦合到第二节点的第二源极/漏极；第二电容器，耦接在第二MOS器件的栅极和第一节点之间；以及第二电阻器，耦接在第二MOS器件的栅极和第二节点之间。
搜索关键词：	半导体 esd 电路方法
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【主权项】：

一种在第一节点和第二节点之间提供保护的静电放电（ESD）电路，所述ESD电路包括：第一MOS器件，具有耦接到所述第一节点的第一源极/漏极以及耦接到中间节点的第二源极/漏极；第一电容器，耦接在所述第一MOS器件的栅极和所述第一节点之间；第一电阻器，耦接在所述第一MOS器件的栅极和所述中间节点之间；第二MOS器件，具有耦接到所述中间节点的第一源极/漏极和耦合到所述第二节点的第二源极/漏极；第二电容器，耦接在所述第二MOS器件的栅极和所述第一节点之间；以及第二电阻器，耦接在所述第二MOS器件的栅极和所述第二节点之间。

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