[发明专利]一种具有高可见光透过率和高压电常数的共掺杂ZnO薄膜有效
| 申请号： | 201210004182.0 | 申请日： | 2012-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN103199189A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 曾飞;刘宏燕;杨晶;潘峰;罗景庭 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L41/18 | 分类号： | H01L41/18 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种共掺杂ZnO薄膜。所述ZnO薄膜由a类元素、b类元素和ZnO组成；所述a类元素为Mg和Ga中至少一种；所述b类元素为V、Cr、Fe和Mn中至少一种；所述a类元素的原子百分数为1％～3.4％，所述b类元素的原子百分数为1％～2％，Zn的原子百分数为44.6％～48％，余量为O。本发明提供的ZnO薄膜的压电系数提高到50pC/N以上，同时对可见光的透过率达到90％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 可见光 透过 高压电 常数 掺杂 zno 薄膜 | ||
【主权项】：
一种共掺杂ZnO薄膜，其特征在于：所述ZnO薄膜由a类元素、b类元素和ZnO组成；所述a类元素为Mg和Ga中至少一种；所述b类元素为V、Cr、Fe和Mn中至少一种。
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