[发明专利]用4H碳化硅晶体制造的非线性光学器件有效
| 申请号： | 201210004093.6 | 申请日： | 2012-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN103197484A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 陈小龙;王顺冲;彭同华;王刚;刘春俊;王文军;金士锋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | G02F1/355 | 分类号： | G02F1/355;G02F1/39;C30B29/36;H01S3/16 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用4H碳化硅晶体制造的非线性光学器件。该非线性光学晶体用于改变具有特定频率的至少一束激光(12)，产生至少一束不同于所述频率的另一特定频率的激光(16)，所述非线性光学晶体为4H碳化硅晶体(13)。由于4H碳化硅晶体具有很高的激光损伤阈值、较宽的透光范围(0.38-5.9μm及6.6-7.08μm)、较大的二阶非线性光学系数(d15＝6.7pm/V)、较大的双折射、高热导率(490Wm-1K-1)以及高化学稳定性等特点，使得本发明的非线性光学器件在输出高功率、高光束质量的中红外激光方面更好地满足实际应用需求，具有显著地实际应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 晶体 制造 非线性 光学 器件 | ||
【主权项】：
一种非线性光学器件，包括至少一个非线性光学晶体，该非线性光学晶体用于改变具有特定频率的至少一束激光(12)，产生至少一束不同于所述频率的另一特定频率的激光(16)，其特征在于：所述非线性光学晶体为4H碳化硅晶体(13)。
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