[发明专利]半导体结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201210004034.9 | 申请日： | 2012-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN103199101A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 黄宗义;邱建维;黄建豪 | 申请（专利权）人： | 立锜科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈肖梅;谢丽娜 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出一种半导体结构及其制造方法，半导体结构形成于第一导电型基板中，其具有基板上表面。半导体结构包含：受保护元件，形成于基板中；至少一环状埋槽，形成于基板上表面下方，由上视图视之，埋槽围绕受保护元件，且埋槽具有第一深度；以及至少一环状掺杂区，形成于基板上表面下方，由上视图视之，掺杂区围绕埋槽，且掺杂区具有第二导电型及第二深度；其中，第二深度不小于第一深度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，形成于一第一导电型基板中，该第一导电型基板具有一上表面，其特征在于，该半导体结构包含：受保护元件，形成于该第一导电型基板中；至少一第一环状埋槽，形成于该上表面下方，由上视图视之，该第一环状埋槽围绕该受保护元件，且该第一环状埋槽自该上表面向下，具有第一深度；以及至少一环状掺杂区，形成于该上表面下方，由上视图视之，该环状掺杂区围绕该第一环状埋槽，且该环状掺杂区的导电型为第二导电型，且该环状掺杂区自该上表面向下，具有第二深度；其中，该第二深度不小于该第一深度。
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