[发明专利]一种高温高压晶体生长设备无效
| 申请号： | 201210003909.3 | 申请日： | 2012-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN102534798A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 李振荣;周明斌;范世骥;徐卓 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B11/00;C30B9/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明所提供一种高温高压晶体生长设备，尤其是一种能生长大尺寸GaN体单晶的高温高压熔剂-坩埚下降法生长设备。包括吊装装置、底座(6)、压力罐(1)、加热炉(18)、下降装置(5)；吊装装置安装在压力罐(1)外壳的顶部；底座(6)用于支撑压力罐(1)；压力罐(1)内放置加热炉(18)和下降装置(5)，加热炉(18)下炉口与压力罐(1)相通；下降装置(5)安装在加热炉(18)下方，其上放置被加热炉(18)加热的用于生成高温高压晶体的物料。本发明结构简单，操作方便，用途广泛，可用于生长大尺寸GaN体单晶材料外，也可用于从高蒸汽压熔体中生长的各种功能晶体材料，还可以用于一些物质在气氛下的热等静压处理或烧结等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高温 高压 晶体生长 设备 | ||
【主权项】：
一种高温高压晶体生长设备，包括吊装装置、底座(6)、压力罐(1)、加热炉(18)、下降装置(5)；其特征在于：吊装装置安装在压力罐(1)外壳的顶部；底座(6)用于支撑压力罐(1)；压力罐(1)内放置加热炉(18)和下降装置(5)，加热炉(18)下炉口与压力罐(1)内的炉腔相通；下降装置(5)安装在加热炉(18)下方，其上放置被加热炉(18)加热的坩埚，坩埚中放置用于生成高温高压晶体的物料。
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