[发明专利]低带隙有机半导体化合物、及包括其的晶体管和电子器件

摘要

本发明涉及低带隙有机半导体化合物、及包括其的晶体管和电子器件。所述有机半导体化合物包含由化学式1表示的结构单元。[化学式1]。

主权项

有机半导体化合物，包含：至少一个根据化学式1的结构单元，[化学式1]其中，在化学式1中，R¹为如下之一：选自卤素、取代和未取代的C1‑C20线型或支化烷基之一、取代和未取代的C3‑C20环烷基之一、取代和未取代的线型或支化C1‑C20烷氧基之一、取代和未取代的C3‑C20环烷氧基之一、取代和未取代的C6‑C30芳基之一、取代和未取代的C6‑C30芳氧基之一、取代和未取代的C2‑C30杂芳基之一、及其组合，和选自其中如果R¹不为氢的话一个CH₂基团和多个不相邻的CH₂基团中的一种任选地被‑O‑、‑S‑、‑S(O)₂‑、‑CO‑、‑OCO‑、‑C(O)O‑、‑CR⁵¹＝CR⁵²‑、‑C≡C‑、或‑SiR⁵³R⁵⁴‑代替的C1‑C20烷基、C1‑C20烷氧基、和C3‑C20环烷基，其中R⁵¹‑R⁵⁴各自独立地选自氢、取代和未取代的C1‑C15线型或支化烷基之一、取代和未取代的C3‑C15环烷基之一、取代和未取代的C1‑C15烷氧基之一、取代和未取代的C6‑C15芳基之一、取代和未取代的C2‑C15杂芳基之一、及其组合，Z选自取代和未取代的C1‑C40亚芳基之一、取代和未取代的C4‑C14杂芳环基团之一、和取代和未取代的包含杂芳环基团的C6‑C30稠合多环基团之一，和p和q表示各结构单元的摩尔比率，并且p/(p+q)为0.6～0.9，所述有机半导体化合物的重均分子量(Mw)为10,000～500,000，其中在化学式1中，根据化学式1A的结构单元选自根据化学式3的结构单元，[化学式1A][化学式3]并且，在化学式3的各个环中的氢任选地被选自如下的取代基代替：取代和未取代的C1‑C15线型或支化烷基之一、取代和未取代的C3‑C15环烷基之一、取代和未取代的C1‑C15烷氧基之一、取代和未取代的C6‑C15芳基之一、取代和未取代的C2‑C15杂芳基之一、及其组合。