[发明专利]一种可调带隙铜锌锡硫半导体薄膜及其制备方法

摘要

本发明公开了一种可调带隙铜锌锡硫半导体薄膜及其制备方法，其组成式为：CuaZnbSncS4，式中，1≤a≤3，0.3≤b≤2，0.2≤c≤2，本发明将高纯度的铜、锌、锡金属分别放在不同的钨舟或钼舟中，通过真空热蒸发方法获得层状的金属薄膜前驱体，把前躯体在真空条件下进行硫化可获得可调带隙铜锌锡硫半导体薄膜。本发明通过改变蒸发顺序、质量比或摩尔比实现组分的可调和光学特性的调控，获得高质量铜锌锡硫薄膜。本发明所述的制备方法具有设备要求简单，可大面积制备，成本较低，对环境友好无污染，适合工业化生产等优点，更重要的是可实现对带隙的调控。

主权项

一种可调带隙铜锌锡硫半导体薄膜，其组成式为：CuaZnbSncS4，式中，1≤a≤3，0.3≤b≤2，0.2≤c≤2。