[发明专利]间隔体辅助的间距分隔光刻法有效
| 申请号： | 201180076102.6 | 申请日： | 2011-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN104011834A | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | S·希瓦库马;E·N·谭 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了基于间隔体的间距分隔光刻技术，其使用单一间隔体沉积实现了具有可变线宽和可变间隔宽度的间距。所得到的特征间距可以处于或者低于所用的曝光系统的分辨率限度，但它们不必如此，并可以借助本文所述的随后的间隔体形成和图案转移工艺，按照所期望的方式进一步减小(例如减半)许多倍。这种基于间隔体的间距分隔技术例如可以用于以小于初始基干图案的间距限定窄导电线路、金属栅极及其他此类小特征。 | ||
| 搜索关键词： | 间隔 辅助 间距 分隔 光刻 | ||
【主权项】：
一种用于制造集成电路的方法，包括：在衬底上提供可变间距基干图案，所述图案具有两个或更多个线宽和两个或更多个间隔宽度；在所述图案和所述衬底上沉积间隔体材料的共形层，其中，所述共形层具有1X的厚度，所述图案的至少一个间隔宽度是2X或更小并且填充有所述间隔体材料；以及去除过多的间隔体材料，以便露出所述基干图案的上表面，并露出在所述图案的大于2X的间隔宽度下面的所述衬底的上表面，其中，具有1X的厚度的间隔体材料保留在所述图案的侧壁上，并且所述图案的2X或更小的间隔宽度保持至少部分地填充有所述间隔体材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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