[发明专利]制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201180075548.7 | 申请日： | 2011-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN104025268A | 公开（公告）日： | 2014-09-03 |
| 发明（设计）人： | 奥列格·科农丘克 | 申请（专利权）人： | 索泰克公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/872;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 吕俊刚;刘久亮 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于制造包括半导体层(5)和金属层(7)的半导体结构的方法，以改进器件的击穿电压性质并减少漏电流，所述方法包括以下步骤：a)提供包括缺陷和/或位错的半导体层；b)移除在缺陷和/或位错的一个或多个位置处的材料，从而在半导体层中形成凹坑(13a-13d)，c)钝化凹坑(13a-13d)，以及c)在半导体层(5)上方提供金属层(7)。本发明还涉及对应的半导体结构。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
用于制造半导体结构的方法，所述半导体结构包括半导体层(5)和金属层(7)，所述方法包括以下步骤：a)提供包括缺陷和/或位错(11a、11b、11c)的半导体层(5)，b)移除在所述缺陷和/或位错(11a、11b、11c)的一个或多个位置处的材料，从而在所述半导体层(5)中形成凹坑(13a、13b、13c)，c)钝化所述凹坑(13a、13b、13c)，以及d)在所述半导体层(5)上方设置所述金属层(7)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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