[发明专利]压电器件及其制备和使用方法有效
| 申请号： | 201180074423.2 | 申请日： | 2011-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN103918096B | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | M·钱德兰;M·S·拉马钱德拉·劳 | 申请（专利权）人： | 印度马德拉斯理工学院 |
| 主分类号： | H01L41/083 | 分类号： | H01L41/083;H01L41/18;H03H9/25 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 吕俊刚;刘久亮 |
| 地址： | 印度泰米*** | 国省代码： | 印度;IN |
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| 摘要： | 提供了制造压电器件的方法。该方法能够包括提供基板并且在基板的第一表面上形成纳米金刚石。方法还能够包括在纳米金刚石层上沉积压电层。 | ||
| 搜索关键词： | 压电 器件 及其 制备 使用方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造压电器件的方法，所述方法包括：提供基板；借助于使得处于40sccm至90sccm的流速的碳氢化合物和处于1500sccm至3000sccm的流速的氢气的气体混合物通过来在所述基板的第一表面上形成纳米金刚石(NCD)层；以及在所述纳米金刚石层的第一表面上直接沉积钙钛矿压电层；其中，所述钙钛矿压电层包括钛酸锆酸镧铅(PLZT)或者锆钛酸铅(PZT)；以及其中，在包括0.4mbar至0.6mbar的氧气的气氛下，以525℃至600℃的温度对所述钙钛矿压电层退火30分钟至2小时，其中，在所述钙钛矿压电层与所述纳米金刚石层之间的热膨胀错配被消除，其中，在沉积所述钙钛矿压电层时，将氧化铅(PbO)添加到沉积对象以补偿沉积和后退火处理期间的铅和氧损失。
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