[发明专利]基于氮化物的忆阻器有效
| 申请号： | 201180073607.7 | 申请日： | 2011-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN103797573A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | J.杨;G.M.里贝罗;R.S.威廉斯 | 申请（专利权）人： | 惠普发展公司;有限责任合伙企业 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L27/115 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 谢攀;徐红燕 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种基于氮化物的忆阻器，忆阻器包括：包括第一氮化物材料的第一电极；包括第二氮化物材料的第二电极；以及在第一电极与第二电极之间安置的有源区域。该有源区域包括电学上半导电的或标称地绝缘的并且是弱离子的开关氮化物相。还提供了一种用于制造基于氮化物的忆阻器的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 氮化物 忆阻器 | ||
【主权项】：
一种基于氮化物的忆阻器，包括：包括第一氮化物材料的第一电极；包括第二氮化物材料的第二电极；以及在所述第一电极和所述第二电极之间安置的有源区域，其中所述有源区域包括电学上半导电的或标称地绝缘的并且是弱离子的开关氮化物相。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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