[发明专利]用于非易失性存储器装置的p+硅锗材料的种子层及方法

摘要

一种形成非易失性存储器装置的方法包括：提供具有表面的衬底；沉积电介质来覆盖所述表面；形成第一布线结构来覆盖所述电介质；沉积硅材料来覆盖所述第一布线结构，所述硅层具有小于大约100埃的厚度；使用所述硅层作为种子层，在范围从大约400摄氏度至大约490摄氏度的沉积温度下沉积硅锗材料来覆盖所述第一布线结构，其中，所述硅锗材料基本上没有空隙，并且具有多晶体特性；沉积电阻型开关材料（例如，非晶硅材料）来覆盖所述硅锗材料；沉积导电材料来覆盖所述电阻型材料；以及，形成第二布线结构来覆盖所述导电材料。

主权项

一种形成非易失性存储器装置的方法，包括：提供具有表面区域的衬底；沉积第一介电材料来覆盖所述衬底的所述表面区域；形成第一布线结构来覆盖所述第一介电材料；沉积硅材料来覆盖所述第一布线结构，所述硅层的特征在于厚度不大于大约100埃；使用所述硅材料作为种子层，在范围从大约400摄氏度至大约490摄氏度的沉积温度下沉积硅锗材料来覆盖所述第一布线结构，所述硅锗材料基本上没有空隙，并且具有多晶体特性；沉积电阻型开关材料来覆盖所述硅锗材料，所述电阻型开关材料包括非晶硅材料；沉积导电材料来覆盖所述电阻型材料；以及形成第二布线结构来覆盖所述导电材料。