[发明专利]氮化物半导体发光元件有效
| 申请号： | 201180073264.4 | 申请日： | 2011-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN103782399B | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 黄硕珉;韩在镐;金载润;河海秀;李守烈;金制远 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/08 | 分类号： | H01L33/08;H01L33/20 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 陈源;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种由于织构效应而具有改进的光提取效率的氮化物半导体发光元件，其包括：形成在衬底上的发光结构，其包括第一导电氮化物半导体层、第二导电氮化物半导体层以及插入在它们之间的有源层；电连接至第一导电氮化物半导体层的第一电极；电连接至第二导电氮化物半导体层的第二电极；以及具有多个通孔的光提取图案，其位于第一电极与第二电极之间并且形成为穿透发光结构的上表面和下表面。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体发光器件，包括：形成在衬底上的发光结构，所述发光结构包括第一导电类型氮化物半导体层、第二导电类型氮化物半导体层和插入在所述第一导电类型氮化物半导体层和第二导电类型氮化物半导体层之间的有源层；电连接至所述第一导电类型氮化物半导体层的第一电极；电连接至所述第二导电类型氮化物半导体层的第二电极；以及光提取图案，其包括布置在所述第一电极和第二电极之间且通过竖直穿透所述发光结构而形成的多个通孔、以及布置在所述第一电极和第二电极之间的多个第一分离沟槽，通过以条带形状去除所述发光结构的至少包括有源层的一部分来形成所述第一分离沟槽，其中每个第一分离沟槽围绕所述多个通孔的一部分，以通过所述第一分离沟槽将所述多个通孔分成多个阵列。
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