[发明专利]半导体发光元件无效
申请号: | 201180073034.8 | 申请日: | 2011-08-01 |
公开(公告)号: | CN103765614A | 公开(公告)日: | 2014-04-30 |
发明(设计)人: | 金载润;黄硕珉;李守烈;蔡昇完;韩在镐;李进馥 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L33/36 | 分类号: | H01L33/36;H01L33/38 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 陈源;张帆 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 根据本发明的一个方面的半导体发光元件包括:发光结构,其配备有n型半导体层、p型半导体层和布置在它们之间的有源层;第一电极,其连接至n型半导体层和p型半导体层中的一个;以及第二电极,其连接至n型半导体层和p型半导体层中没有连接第一电极的一个。第一电极配备有第一电极焊盘以及连接至第一电极焊盘的第一至第三分支电极,从而具有叉子形状,第一电极焊盘布置在所述发光结构的顶面的一侧的中央。第二电极配备有第二电极焊盘和第三电极焊盘以及连接至第二电极焊盘和第三电极焊盘的第四至第七分支电极,第二电极焊盘和第三电极焊盘彼此分开布置在与所述一侧相对的另一侧的两个角上,其中第四至第七分支电极延伸以便布置在第一至第三分支电极之间。 | ||
搜索关键词: | 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】:
一种半导体发光器件,包括:发光结构,其包括n型半导体层、p型半导体层和布置在所述n型半导体层与所述p型半导体层之间的有源层,所述发光结构具有由彼此相对的第一侧和第二侧以及彼此相对的第三侧和第四侧形成的矩形上表面;第一电极,其形成在所述发光结构的上表面上,并且连接至所述n型半导体层和所述p型半导体层中的一个;以及第二电极,其形成在所述发光结构的上表面上,并且连接至所述n型半导体层和所述p型半导体层中的另一个,其中,所述第一电极包括:第一电极焊盘,其布置在所述第一侧的中央部分;第一分支电极,其从所述第一电极焊盘朝向所述第二侧线性地延伸,使得所述第一分支电极平行于所述第三侧;以及第二分支电极和第三分支电极,其从所述第一电极焊盘延伸,朝向所述第三侧和所述第四侧弯曲,并且朝向所述第二侧延伸,使得所述第二分支电极和第三分支电极平行于所述第一分支电极并且布置在所述第一分支电极的两侧,并且所述第二电极包括:第二电极焊盘,其布置在所述第二侧与所述第三侧之间的角处;第三电极焊盘,其布置在所述第二侧与所述第四侧之间的角处;第四分支电极,其从所述第二电极焊盘以弯曲的方式向内延伸,并且在所述第一分支电极与所述第二分支电极之间朝向所述第一侧线性地延伸;第五分支电极,其从所述第二电极焊盘沿着所述第三侧延伸,并且布置在所述第二分支电极的外侧;第六分支电极,其从所述第三电极焊盘以弯曲的方式向内延伸,并且在所述第一分支电极与所述第三分支电极之间朝向所述第一侧线性地延伸;以及第七分支电极,其从所述第三电极焊盘沿着所述第四侧延伸,并且布置在所述第三分支电极的外侧。
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