[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

形成在硅衬底（3）上隔着硅氧化膜（4）而设置有硅层（5）的SOI衬底（6）。然后，在硅层（5）的表面形成多个半导体元件（8）。然后，在绝缘性衬底（10）的表面形成配线（11）。然后，使SOI衬底（6）和绝缘性衬底（10）贴合，以将多个半导体元件（8）和配线（11）连接。然后，向硅衬底（3）注入氢离子和惰性气体离子中的至少一种而形成脆化层（12）。然后，以脆化层（12）为边界将硅衬底（3）的一部分剥离。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有下述工序：形成在硅衬底上隔着硅氧化膜而设置有硅层的SOI衬底的工序：在所述硅层的表面形成多个半导体元件的工序；在绝缘性衬底的表面形成配线的工序；使所述SOI衬底和所述绝缘性衬底贴合，以将所述多个半导体元件和所述配线连接的工序；在使所述SOI衬底和所述绝缘性衬底贴合后，向所述硅衬底注入氢离子和惰性气体离子中的至少一种而形成脆化层的工序；以及以所述脆化层为边界将所述硅衬底的一部分剥离的工序。