[发明专利]由铝和硅前体沉积Al2O3/SiO2 叠层的方法

摘要

形成Al2O3/SiO2叠层的方法，其相继包括下述步骤：a）将基底供应到反应室中；b）通过ALD法向反应室中注入至少一种含硅化合物，所述至少一种含硅化合物选自由下述物质组成的组：BDEAS双(二乙基氨基)硅烷 SiH2(NEt2)2，BDMAS双(二甲基氨基)硅烷 SiH2(NMe2)2，BEMAS双(乙基甲基氨基)硅烷 SiH2(NEtMe)2，DIPAS(二-异丙基酰氨基)硅烷 SiH3(NiPr2)，DTBAS(二叔丁基酰氨基)硅烷 SiH3(NtBu2)；c）向反应室中注入选自氧、臭氧、氧等离子体、水、CO2等离子体、N2O等离子体的氧源；d）在20℃至400℃的温度、优选低于或等于250℃的温度在反应室中使至少一种含硅化合物和氧源反应，以获得沉积到基底上的SiO2层；e）通过ALD法在所述氧化硅膜上注入选自Al(Me)3、Al(Et)3、Al(Me)2(OiPr)、Al(Me)2(NMe)2或Al(Me)2(NEt)2的至少一种含铝化合物；f）注入如步骤c)中规定的氧源；g）在20℃至400℃的温度、优选低于或等于250℃的温度在反应室中使至少一种含铝化合物和氧源反应，以获得沉积到获自步骤d)的SiO2层上的Al2O3层。

主权项

形成Al2O3/SiO2叠层的方法，其相继包括下述步骤：a）将基底供应到反应室中；b）通过ALD法向反应室中注入至少一种含硅化合物，所述至少一种含硅化合物选自由下述物质组成的组：BDEAS双(二乙基氨基)硅烷    SiH2(NEt2)2,BDMAS双(二甲基氨基)硅烷    SiH2(NMe2)2,BEMAS双(乙基甲基氨基)硅烷  SiH2(NEtMe)2,DIPAS(二‑异丙基酰氨基)硅烷 SiH3(NiPr2)，DTBAS(二叔丁基酰氨基)硅烷  SiH3(NtBu2)；c）向反应室中注入选自氧、臭氧、氧等离子体、水、CO2等离子体、N2O等离子体的氧源；d）在20℃至400℃的温度、优选低于或等于250℃的温度在反应室中使至少一种含硅化合物和氧源反应，以获得沉积到基底上的SiO2层；e）通过ALD法在所述氧化硅膜上注入选自Al(Me)3、Al(Et)3、Al(Me)2(OiPr)、Al(Me)2(NMe)2或Al(Me)2(NEt)2的至少一种含铝化合物；f）注入如步骤c）中规定的氧源；g）在20℃至400℃的温度、优选低于或等于250℃的温度在反应室中使至少一种含铝化合物和氧源反应，以获得沉积到获自步骤d）的SiO2层上的Al2O3层。