[发明专利]制作具有正面纹理和平滑背面表面的硅太阳能电池的方法有效
| 申请号： | 201180067305.9 | 申请日： | 2011-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN103354954A | 公开（公告）日： | 2013-10-16 |
| 发明（设计）人： | 阿道夫·闵塞尔;安德里亚斯·特佩;简·薛昂;马赛厄斯·海恩;杰恩斯·库因伯格;桑德拉·库因伯格 | 申请（专利权）人： | 森特瑟姆光伏股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/052 | 分类号： | H01L31/052;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 北京金恒联合知识产权代理事务所 11324 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 德国布*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 制作一面被平滑化蚀刻的硅太阳能电池的方法，其中一个硅基底的正面和背面被蚀刻（10）以形成平滑的纹理，一个介电覆层被形成在所述硅基底的背面上（14，16），且所述硅基底的所述正面随后借助一种纹理蚀刻介质被纹理化（20），形成在所述硅基底的背面上的所述介电覆层被用作对所述纹理蚀刻介质的蚀刻掩膜。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 具有 正面 纹理 平滑 背面 表面 太阳能电池 方法 | ||
【主权项】：
制作硅太阳能电池的方法，所述硅太阳能电池的一面被平滑化蚀刻，其中‑一个硅基底的正面和背面被平滑化蚀刻（10），‑一个介电覆层被形成在所述硅基底的背面上（14，16），‑所述硅基底的所述正面随后借助一种纹理蚀刻介质被纹理化（20），形成在所述硅基底的背面上的所述介电覆层被用作对所述纹理蚀刻介质的蚀刻掩膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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