[发明专利]Al基合金溅射靶及Cu基合金溅射靶有效
| 申请号： | 201180066834.7 | 申请日： | 2011-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN103348036A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 松本克史;中井淳一;高木敏晃 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所;株式会社钢臂功科研 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22C9/00;C22C21/00;H01L21/28;H01L21/285 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 海坤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在将距Al基合金或Cu基合金溅射靶的最表面1mm以内的深度的溅射面法线方向的结晶方位<001>±15°、<011>±15°、<111>±15°、<112>±15°及<012>±15°的合计面积率设为P值时，满足下述（1）及/或（2）的要件，由此可提高预溅射时以及接着进行的向基板等的溅射时的成膜速度，且能够抑制飞溅等溅射不良。其中，（1）相对于所述P值的<011>±15°的面积率PA：40%以下，（2）相对于所述P值的<001>±15°和<111>±15°的合计面积率PB：20%以上。 | ||
| 搜索关键词： | al 合金 溅射 cu | ||
【主权项】：
一种溅射靶，其为Al基合金或Cu基合金溅射靶，其特征在于，在通过电子背散射衍射法观察距所述溅射靶的最表面1mm以内的深度处的溅射面法线方向的结晶方位<001>、<011>、<111>、<112>及<012>，且将<001>±15°、<011>±15°、<111>±15°、<112>±15°及<012>±15°的合计面积率设为P值时，满足下述（1）及/或（2）的要件，（1）相对于所述P值的<011>±15°的面积率PA：40%以下；（2）相对于所述P值的<001>±15°和<111>±15°的合计面积率PB：20%以上。
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