[发明专利]用于使DRAM和MRAM访问交错的存储器控制器和方法有效
| 申请号： | 201180066332.4 | 申请日： | 2011-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN103354939A | 公开（公告）日： | 2013-10-16 |
| 发明（设计）人： | S·M·阿拉姆;T·安德烈;D·古戈尔 | 申请（专利权）人： | 艾沃思宾技术公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 郭思宇 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了用于使不同等待时间和页面尺寸的易失性和非易失性存储器交错的存储器控制和方法，其中，单个DDR3存储器控制器与许多存储器模块通信，其至少包括与例如动态随机存取存储器（DRAM）的易失性存储器集成在不同序列或通道中的例如自旋扭矩磁随机存取存储器的非易失性存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 dram mram 访问 交错 存储器 控制器 方法 | ||
【主权项】：
一种存储器系统，包括：存储器，包括：多个易失性存储器组，包括第一部分和第二部分；以及至少一个非易失性存储器组，包括与第一部分和第二部分以序列或列之一配置的至少一个第三部分；以及耦合到易失性存储器组和非易失性存储器组的存储器控制器，被配置为：使激活、读、写和预充电操作对第一部分、第二部分和第三部分的应用同步。
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