[发明专利]激光加工方法有效
| 申请号： | 201180064900.7 | 申请日： | 2011-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN103299401B | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 奥间惇治;坂本刚志 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L29/16;B23K26/00;B28D5/00;B23K26/08;C30B29/36;C30B33/06;B23K26/0622 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦 |
| 地址： | 日本，*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 准备具备具有与c面成偏离角的角度的表面（12a）的六方晶系SiC基板（12）的板状的加工对象物（1）。接着，将脉冲振荡后的激光（L）的聚光点（P）对准于SiC基板（12）的内部，以脉冲间距为10μm～18μm的方式沿着切断预定线（5a,5m）将激光（L）照射于加工对象物（1）。由此，沿着切断预定线（5a,5m），将作为切断起点的改质区域（7a,7m）形成于SiC基板（12）的内部。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种激光加工方法，其特征在于，是用来将具备六方晶系SiC基板的板状的加工对象物沿着切断预定线进行切断的激光加工方法，该六方晶系SiC基板具有与c面成偏离角的角度的主面，通过使脉冲振荡后的激光的聚光点对准于所述SiC基板的内部，以脉冲间距为10μm～18μm的方式沿着所述切断预定线将所述激光照射于所述加工对象物，从而沿着所述切断预定线，将作为切断起点的改质区域形成于所述SiC基板的内部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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