[发明专利]保护膜形成用化学溶液有效
申请号: | 201180064801.9 | 申请日: | 2011-12-28 |
公开(公告)号: | CN103299403A | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
发明(设计)人: | 斋尾崇;公文创一;斋藤真规;荒田忍;七井秀寿;赤松佳则 | 申请(专利权)人: | 中央硝子株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: |
本发明的课题在于提供一种形成拒水性保护膜(10)的保护膜形成用化学溶液,其用于改善容易诱发表面形成有凹凸图案且该凹凸图案的凹部(4)表面具有钛、钨、铝、铜、锡、钽和钌中的至少1种元素的晶片(金属系晶片)的图案倾塌的清洗工序。[解决方案]一种拒水性保护膜形成用化学溶液,其特征在于,其为包含下述拒水性保护膜形成剂和溶剂的化学溶液,所述拒水性保护膜形成剂用于在前述金属系晶片的清洗工序之后且干燥工序之前在至少凹部(4)表面形成拒水性保护膜(10),该拒水性保护膜形成剂为通式[1]表示的化合物。(R1是一部分或全部氢元素任选被氟元素取代的碳原子数为1~18的1价烃基,R2各自相互独立地是包含一部分或全部氢元素任选被氟元素取代的碳原子数为1~18的烃基的1价有机基团,a是0至2的整数。) |
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搜索关键词: | 保护膜 形成 化学 溶液 | ||
【主权项】:
1.一种拒水性保护膜形成用化学溶液,其特征在于,其为包含下述拒水性保护膜形成剂和溶剂的化学溶液,所述拒水性保护膜形成剂用于在表面形成有凹凸图案且该凹凸图案的凹部表面具有钛、钨、铝、铜、锡、钽和钌中的至少1种元素的晶片的清洗工序之后且干燥工序之前在至少凹部表面形成拒水性保护膜,该拒水性保护膜形成剂为下述通式[1]表示的化合物,
式[1]中,R1是一部分或全部氢元素任选被氟元素取代的碳原子数为1至18的1价烃基,R2各自相互独立地是包含一部分或全部氢元素任选被氟元素取代的碳原子数为1至18的烃基的1价有机基团,a是0至2的整数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造