[发明专利]具有局部双栅的石墨烯器件有效
| 申请号： | 201180064269.0 | 申请日： | 2011-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN103329244A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 陈志宏;A·D·富兰克林;汉述仁 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;张亚非 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种电子器件包括：绝缘体；嵌入所述绝缘体中的局部第一栅极，其中所述第一栅极的顶表面与所述绝缘体的表面基本共面；在所述第一栅极和绝缘体之上形成的第一介电层；以及沟道。所述沟道包括在所述第一介电层上形成的双层石墨烯层。所述第一介电层提供基本平坦表面，所述沟道形成在该基本平坦表面上。在所述双层石墨烯层之上形成的第二介电层以及在所述第二介电层之上形成的局部第二栅极。所述局部第一和第二栅极中的每一者与所述双层石墨烯层的所述沟道容性耦合。所述局部第一和第二栅极形成第一对栅极以局部地控制所述双层石墨烯层的第一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 局部 石墨 器件 | ||
【主权项】：
一种电子器件，包括：绝缘体；嵌入所述绝缘体中的局部第一栅极，其中所述第一栅极的顶表面与所述绝缘体的表面基本共面；在所述第一栅极和绝缘体之上形成的第一介电层；沟道，其包括在所述第一介电层上形成的双层石墨烯层，其中，所述第一介电层提供基本平坦表面，所述沟道形成在该基本平坦表面上；在所述双层石墨烯层之上形成的第二介电层；以及在所述第二介电层之上形成的局部第二栅极，所述局部第一和第二栅极中的每一者被配置为与所述双层石墨烯层的所述沟道容性耦合；其中，所述局部第一和第二栅极形成第一对栅极以局部地控制所述双层石墨烯层的第一部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
