[发明专利]芳烃树脂、光刻法用底层膜形成组合物以及形成多层抗蚀图案的方法有效

专利信息
申请号: 201180063557.4 申请日: 2011-12-14
公开(公告)号: CN103282396A 公开(公告)日: 2013-09-04
发明(设计)人: 东原豪;内山直哉;越后雅敏 申请(专利权)人: 三菱瓦斯化学株式会社
主分类号: C08G14/04 分类号: C08G14/04;G03F7/11;H01L21/027
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 目的是提供一种高碳浓度和低氧浓度的芳烃树脂,其可用作半导体用涂层剂或者抗蚀剂用树脂;提供一种用于形成光刻的底层膜的组合物,所述底层膜作为多层抗蚀工艺的底层膜具有优异的耐蚀刻性,提供一种由所述组合物形成的底层膜,以及提供一种使用所述底层膜形成图案的方法。本发明的特征在于在酸性催化剂的存在下,芳烃、芳族醛和酚衍生物反应从而得到芳烃树脂,所述芳烃树脂具有90-99.9质量%的高碳浓度和在丙二醇单甲醚乙酸酯中10质量%以上的溶解度。
搜索关键词: 芳烃 树脂 光刻 底层 形成 组合 以及 多层 图案 方法
【主权项】:
1.一种芳烃树脂,其由式(1)表示的芳烃、式(2)表示的醛和式(3)表示的酚衍生物在酸性催化剂的存在下反应得到:其中在式(1)中,R表示氢或具有1至4个碳原子的烷基,l和m各自表示1到3的数,A表示0到2的数,由R所表示的多个基团彼此相同或不同;在式(2)中,X表示氢、具有1至10个碳原子的烷基、具有6至10个碳原子的芳基、环己基、羟基、甲酰基或羰基,p和q各自表示1到3的数,B表示0到2的数,由X所表示的多个基团彼此相同或不同;以及在式(3)中,Y和Z表示氢、具有1至10个碳原子的烷基、具有6至10个碳原子的芳基或环己基,r和s各自表示1到10的数,C表示0到2的数,由Y和Z所表示的多个基团彼此相同或不同。
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