[发明专利]化合物半导体薄膜太阳能电池及其制造方法在审
| 申请号： | 201180063037.3 | 申请日： | 2011-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103443929A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 张毅闻;山田明 | 申请（专利权）人： | 凸版印刷株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/0352;H01L31/0749 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开一种化合物半导体薄膜太阳能电池，其特征在于，具备由化合物半导体构成的光吸收层和形成在该光吸收层上的缓冲层，其中，上述缓冲层是采用包含至少含有金属元素和第16族元素的纳米粒子的油墨来形成的。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 薄膜 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体薄膜太阳能电池，其特征在于，具备由化合物半导体构成的光吸收层和形成在该光吸收层上的缓冲层，其中，所述缓冲层是采用包含至少含有金属元素和第16族元素的纳米粒子的油墨来形成的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
