[发明专利]高保真度掺杂浆料及其方法有效
| 申请号： | 201180058799.4 | 申请日： | 2011-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN103403878B | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | E·V·罗戈吉纳;M·克尔曼;G·斯卡尔德拉 | 申请（专利权）人： | 英诺瓦莱特公司 |
| 主分类号： | H01L31/0288 | 分类号： | H01L31/0288;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 朱黎明 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了高保真度掺杂剂浆料。所述高保真度掺杂浆料包含溶剂、分散到所述溶剂中的一组非玻璃基质颗粒和掺杂剂。 | ||
| 搜索关键词： | 保真度 掺杂 浆料 及其 方法 | ||
【主权项】：
高保真度掺杂剂浆料，包含：溶剂；分散到所述溶剂中的一组非玻璃基质颗粒，其中所述非玻璃基质颗粒组包括陶瓷，所述陶瓷选自Al2O3、MgO、CeO2、TiO2、ZnO、ZrO2和Y2O3；和掺杂剂；所述掺杂剂是n‑型掺杂剂前体和p‑型掺杂剂前体中的一种。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
