[发明专利]在硅晶片上形成表面纹理的干法蚀刻方法有效
| 申请号： | 201180057975.2 | 申请日： | 2011-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN103237745A | 公开（公告）日： | 2013-08-07 |
| 发明（设计）人： | Y·K·赵 | 申请（专利权）人： | 因特瓦克公司 |
| 主分类号： | B65G49/07 | 分类号： | B65G49/07;H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 韩宏;陈松涛 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了用于改善硅晶片的表面反射率的系统和方法。该系统和方法由在硅晶片上通过执行表面氧化和干法蚀刻工艺来形成纹理化表面，以改善表面反射率。可以使用干氧等离子体工艺来执行该表面氧化。执行干法蚀刻工艺以去除由表面氧化步骤形成的氧化层并利用氧化物掩模来蚀刻硅层。干法蚀刻能够形成黑硅，这将使光反射或散射最小化或消除，从而最终获得更高的能量转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 形成 表面 纹理 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
一种系统，包括：硅蚀刻室，其用于执行第一蚀刻工艺和第二蚀刻工艺，所述第一蚀刻工艺用于去除在硅晶片上的氧化硅层的一部分，所述第二蚀刻工艺相对于氧化物而言对硅是高选择性的。
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