[发明专利]氮化物半导体装置

摘要

在层间绝缘膜上的与第一电极（1）中包含第一直线形基部（1a）及第一梳形电极部（1b，1c）的第一直线形基部（1a）侧的区域对应的区域形成第一电极板（11），该第一电极板（11）通过通孔与第一电极（1）连接。在层间绝缘膜上的与第二电极（2）中包含第二梳形电极部（2b）的第二直线形基部（2a）侧的区域对应的区域形成第二电极板（12），该第二电极板（12）通过通孔与第二电极（2）连接。在层间绝缘膜上的与第三电极（3）中包含第三梳形电极部（3b）的第三直线形基部（3a）侧的区域对应的区域形成第三电极板（13），该第三电极板（13）通过通孔与第三电极（3）连接。由此，提供一种减小导通电阻以应对大电流且实现小型化的氮化物半导体装置。

主权项

一种氮化物半导体装置，其特征在于，包括：基板（10,210）；氮化物半导体层（20,220,720），其在所述基板（10,210）上形成；第一电极群（1b,101b,201b,301b,701,801,901），其在所述氮化物半导体层（20,220,720）上形成，并且由多个梳形电极构成；第二电极群（2b,102b,202b,302b,702,802,902），其在所述氮化物半导体层（20,220,720）上形成，并且由与所述第一电极群（1b,101b,201b,301b,701,801,901）的多个梳形电极相距间隔并交替排列的多个梳形电极构成；第三电极群（1c,101c,201c,301c,703,803,903），其在所述氮化物半导体层（20,220,720）上形成，并且由排列方向平行于由所述第一电极群（1b,101b,201b,301b,701,801,901）和所述第二电极群（2b,102b,202b,302b,702,802,902）构成的列的多个梳形电极构成；第四电极群（3b,103b,203b,303b,704,804,904），其在所述氮化物半导体层（20,220,720）上形成，并且由与所述第三电极群（1c,101c,201c,301c,703,803,903）的多个梳形电极相距间隔并交替排列的多个梳形电极构成；栅电极（5,205,760,860,960），其在所述氮化物半导体层（20,220,720）上形成，并且设置在所述第一电极群（1b,101b,201b,301b,701,801,901）与所述第二电极群（2b,102b,202b,302b,702,802,902）之间以及所述第三电极群（1c,101c,201c,301c,703,803,903）与所述第四电极群（3b,103b,203b,303b,704,804,904）之间；层间绝缘膜（40,240,740），其在所述基板（10,210）上形成以覆盖所述第一、第二、第三、第四电极群（1b,101b,201b,301b,701,801,901,2b,102b,202b,302b,702,802,902,1c,101c,201c,301c,703,803,903,3b,103b,203b,303b,704,804,904）和所述栅电极（5,205,760,860,960）；第一电极板（11,111,211,711,811A,811B,911）、第二电极板（12,112,212,712,812,912）及第三电极板（13,113,213,713,813,913），该第一电极板、第二电极板及第三电极板各自形成在所述层间绝缘膜（40,240,740）上的与具有所述第一、第二、第三、第四电极群（1b,101b,201b,301b,701,801,901,2b,102b,202b,302b,702,802,902,1c,101c,201c,301c,703,803,903,3b,103b,203b,303b, 704,804,904）的所述氮化物半导体层（20,220,720）的活性区域对应的区域，该第一电极板通过接触部与所述第一、第三电极群（1b,101b,201b,301b,701,801,901,1c,101c,201c,301c,703,803,903）连接，该第二电极板通过接触部与所述第二电极群（2b,102b,202b,302b,702,802,902）连接，该第三电极板通过接触部与所述第四电极群（3b,103b,203b,303b,704,804,904）连接；所述第一电极群（1b,101b,201b,301b,701,801,901）及所述第三电极群（1c,101c,201c,301c,703,803,903）是源电极或者漏电极中的一方，所述第二电极群（2b,102b,202b,302b,702,802,902）及所述第四电极群（3b,103b,203b,303b,704,804,904）是所述源电极或者漏电极的另一方。