[发明专利]包含含有羟基的咔唑酚醛清漆树脂的形成抗蚀剂下层膜的组合物

摘要

本发明的课题是提供用于半导体装置制造的光刻工艺的具备耐热性的形成抗蚀剂下层膜的组合物。作为解决本发明课题的方法是一种形成抗蚀剂下层膜的组合物，其包含聚合物，所述聚合物包含下述式(1)所示的单元结构和式(2)所示的单元结构，所述聚合物以摩尔比计为3～97：97～3的比例包含式(1)所示的单元结构和式(2)所示的单元结构。本发明涉及一种半导体装置的制造方法，其包括下述工序：在半导体基板上通过形成抗蚀剂下层膜的组合物来形成下层膜的工序；在该下层膜上形成硬掩模的工序；然后在该硬掩模上形成抗蚀剂膜的工序；通过光或电子束的照射与显影来形成图案化了的抗蚀剂膜的工序；按照图案化了的抗蚀剂膜对硬掩模进行蚀刻的工序；按照图案化了的硬掩模对该下层膜进行蚀刻的工序；以及按照图案化了的下层膜对半导体基板进行加工的工序。

主权项

1.一种形成抗蚀剂下层膜的组合物，其包含聚合物，所述聚合物包含下述式(1)所示的单元结构和式(2)所示的单元结构，式(1)所示的单元结构与式(2)所示的单元结构的比例以摩尔比计为3～97：97～3，式(1)中，R₁和R₂各自独立地表示氢原子、卤原子、硝基、氨基、羟基、碳原子数1～10的烷基、碳原子数2～10的烯基、碳原子数6～40的芳基、或者可以包含醚键、酮键或酯键的这些基团的组合，R₃表示氢原子、碳原子数1～10的烷基、碳原子数2～10的烯基、碳原子数6～40的芳基、或者可以包含醚键、酮键或酯键的这些基团的组合，R₄表示氢原子、或者可以被卤原子、硝基、氨基或羟基取代的、碳原子数6～40的芳基或杂环基，R₅表示氢原子、或者可以被卤原子、硝基、氨基或羟基取代的、碳原子数1～10的烷基、碳原子数6～40的芳基或杂环基，R₄与R₅彼此可以形成环，n1和n2各自表示1～3的整数，式(2)中，Ar表示碳原子数6～20的芳香族环基，R₆表示羟基，R₇表示氢原子、卤原子、硝基、氨基、碳原子数1～10的烷基、碳原子数2～10的烯基、碳原子数6～40的芳基、或者可以包含醚键、酮键或酯键的这些基团的组合，R₈表示氢原子、或者可以被卤原子、硝基、氨基或羟基取代的、碳原子数6～40的芳基或杂环基，R₉表示氢原子、或者可以被卤原子、硝基、氨基或羟基取代的、碳原子数1～10的烷基、碳原子数6～40的芳基或杂环基，R₈与R₉彼此可以形成环，n6表示1～p的整数，n7表示p－n6的整数，这里p表示芳香族环基Ar能够被取代的最大数。