[发明专利]薄膜晶体管的半导体层用氧化物及溅射靶材，以及薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201180056933.7 | 申请日： | 2011-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN103229302A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 三木绫;森田晋也;钉宫敏洋;安野聪;朴在佑;李制勋;安秉斗;金建熙 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所;三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;C01G19/00;C23C14/08;C23C14/34;H01L21/336;H01L21/363 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 龚敏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及的薄膜晶体管的半导体层用氧化物含有Zn、Sn及In，将氧化物中包含的金属元素的含量(原子％)分别设为[Zn]、[Sn]及[In]时，满足下述式(1)～(3)。[In]/([In]+[Zn]+[Sn])≥-0.53×[Zn]/([Zn]+[Sn])+0.36…(1)；[In]/([In]+[Zn]+[Sn])≥2.28×[Zn]/([Zn]+[Sn])-2.01…(2)；[In]/([In]+[Zn]+[Sn])≤1.1×[Zn]/([Zn]+[Sn])-0.32…(3)。根据本发明，可提供能够实现高迁移率，并且抗应力性(应力施加前后的阈值电压漂移量少)也优异的薄膜晶体管用氧化物。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 半导体 氧化物 溅射 以及 | ||
【主权项】：
一种用于薄膜晶体管的半导体层的氧化物，其特征在于，所述氧化物含有Zn、Sn及In，将所述氧化物中包含的金属元素以原子％计的含量分别设为[Zn]、[Sn]及[In]时，满足下述式(1)～(3)，[In]/([In]+[Zn]+[Sn])≥‑0.53×[Zn]/([Zn]+[Sn])+0.36…(1)[In]/([In]+[Zn]+[Sn])≥2.28×[Zn]/([Zn]+[Sn])‑2.01…(2)[In]/([In]+[Zn]+[Sn])≤1.1×[Zn]/([Zn]+[Sn])‑0.32…(3)。
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