[发明专利]用于半导体处理的具有平面加热器区域的加热板有效
申请号: | 201180054053.6 | 申请日: | 2011-10-31 |
公开(公告)号: | CN103201826A | 公开(公告)日: | 2013-07-10 |
发明(设计)人: | 哈梅特·辛格 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种用于半导体处理装置中衬底支撑组件的加热板,其包括以可扩展的多路布置方案设置的多个独立可控的平面加热器区域,以及独立控制平面加热器区域并给平面加热器区域提供功率的电子器件。每个平面加热器区域包括由绝缘体-导体复合材料制成的一个或多个加热器元件。包含加热板的衬底支撑组件包括静电夹持电极和温度可控的基板。制备所述加热板的方法包括将具有平面加热器区域、功率供给线、功率回线和通孔的陶瓷板结合在一起。 | ||
搜索关键词: | 用于 半导体 处理 具有 平面 加热器 区域 加热 | ||
【主权项】:
一种在半导体处理装置中用于支撑半导体衬底的衬底支撑组件的加热板,所述加热板包括:电绝缘层;平面加热器区域,其至少包括第一、第二、第三和第四平面加热器区域,每个平面加热器区域包括由绝缘体‑导体复合材料制成的一个或多个加热器元件,所述平面加热器区域横向分布在整个所述电绝缘层,并能操作地调节所述半导体衬底上的空间温度分布;功率供给线,其至少包括电连接到所述第一和第二平面加热器区域的第一导电的功率供给线,以及电连接到所述第三和第四平面加热器区域的第二导电的功率供给线;功率回线,其至少包括电连接到所述第一和第三平面加热器区域的第一导电的功率回线,和电连接到所述第二和第四平面加热器区域的第二导电的功率回线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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