[发明专利]用以降低超低k介电薄膜的黏着层厚度并提高抗破坏性的工艺

摘要

提供了一种改良的方法用于沉积超低介电常数薄膜堆栈。本发明实施例藉由降低超低介电薄膜堆栈中的氧化物黏着层厚度而将来自沉积超低介电常数薄膜堆栈的最初阶段的k(介电常数)影响最小化，因而将薄膜堆栈的厚度非均匀性降低至小于2%。所述改良的工艺以较低的沉积速率与较低的等离子体密度以及较高的总流速，在超低介电薄膜堆栈中沉积氧化物黏着层与块层，从而在薄膜沉积期间产生共沉积物质的较佳封装/排序，所述较佳封装/排序导致较高机械强度与较低孔隙率。

主权项

一种处理基板的方法，所述基板设置在处理腔室中，所述方法包含：使气体混合物流入所述处理腔室中，以藉由将射频(RF)功率施加至所述处理腔室，而将起始层沉积在所述基板上，所述气体混合物包含一种或多种有机硅化合物的流速与一种或多种致孔剂化合物的流速；提高所述一种或多种有机硅化合物的所述流速，直到达到所述一种或多种有机硅化合物的最终流速，用以在所述起始层上沉积第一过渡层；以及提高所述一种或多种致孔剂化合物的所述流速，直到达到所述一种或多种致孔剂化合物的最终流速，同时所述一种或多种有机硅化合物以所述最终流速流动，用以在所述第一过渡层上沉积第二过渡层，其中在所述RF功率与总流速的比例为介于约0.1W/sccm至约0.3W/sccm，执行所述起始层、所述第一过渡层与第二过渡层的所述沉积。