[发明专利]晶体太阳能电池及其制备方法无效
| 申请号： | 201180053407.5 | 申请日： | 2011-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN103314451A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | H.纳格尔;K.瓦斯;W.施密特 | 申请（专利权）人： | 肖特太阳能股份公司 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 石克虎;林森 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制备具有p-掺杂的硅基材(12)和至少一个抗反射层(22)的晶体太阳能电池（10）的方法，该基材前侧含有n-掺杂的区域(14)。为了使太阳能电池的并联电阻降低和因此的填充系数降低减少，提供了将含磷酸的溶液均匀地施加到太阳能电池的整个前侧表面，在太阳能电池的第一热处理步骤中形成磷硅酸盐玻璃，和在第一热处理步骤中或在随后的第二热处理步骤中，形成在表面附近的含硅的沉淀物，其中基材的前侧表面上的层(26)中均匀或基本均匀的表面覆盖率为5%-100%。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种制备具有p‑掺杂的硅基材(12)和至少一个抗反射层(22)的晶体太阳能电池（10）的方法，该基材前侧含有n‑掺杂的区域(14),其特征在于在基材(12)的n‑掺杂的区域(14)中，以在5%‑100%范围的均匀或基本均匀的表面覆盖率在前侧表面附近形成含硅的沉淀物，其中p‑掺杂的硅基材(12)的整个前侧表面被亲水化，然后将含磷酸的溶液均匀地施涂到整个前侧表面上，并接着在基材的第一热处理步骤中，形成磷硅酸盐玻璃，和在该第一热处理步骤中或在随后的第二热处理步骤中，形成在表面附近的含硅的沉淀物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
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