[发明专利]用于生产衰减LID现象的太阳能电池的方法

摘要

为了降低晶体硅太阳能电池由于LID效应产生的转换效率的衰退，应用包括使空隙受控引入硅的一个或多个步骤，其中通过从下列步骤中选择一个或多个步骤的方式来执行所述引入：硅化、渗氮、离子注入、激光辐照、通过弯曲施加机械应力于硅衬底的表面，并与促进空隙形成的温度相结合。借助于VO复合物的扩散效应和氧的沉淀效应，所述空隙可以降低间隙氧的含量。空隙的引入还具有降低自间隙含量的效果，并且因此限制了间隙硼的形成。因此限制了由BiOi2复合物的激活产生的LID现象。特别地，本发明能够应用于具有较高硼和氧浓度的单晶硅或多晶硅太阳能电池。

主权项

一种用于由晶体硅衬底生产光电池的方法，其特征在于它包括至少一个使空隙受控引入硅衬底的步骤。