[发明专利]等离子CVD装置

摘要

提供一种防止向原料气体的供给部的不需要的成膜而抑制薄片的产生从而能够进行品质优异的CVD被膜的成膜的等离子CVD装置。该等离子CVD装置具有真空腔、将真空腔内真空排气的真空排气装置、设置于真空腔内而卷挂基材的成膜辊、向真空腔内供给原料气体的气体供给部、在成膜辊的表面附近形成等离子产生区域而在基材上进行成膜的等离子电源。气体供给部设置于隔着成膜辊而位于与上述等离子产生区域相反侧的等离子非产生区域。

主权项

一种等离子CVD装置，具有：内部为空洞的真空腔、将上述真空腔内真空排气的真空排气装置、配备在上述真空腔内并且卷挂作为成膜对象的基材的成膜辊、向上述真空腔内供给原料气体的气体供给部、和在上述成膜辊的表面附近形成等离子产生区域从而对卷挂在该成膜辊上的基材进行成膜的等离子电源，上述气体供给部设置于等离子非产生区域，所述等离子非产生区域隔着上述成膜辊而位于与上述等离子产生区域相反侧。