[发明专利]同步采样单比特开关模式电源有效

专利信息
申请号: 201180051981.7 申请日: 2011-09-16
公开(公告)号: CN103201938B 公开(公告)日: 2016-10-26
发明(设计)人: C·D·塔滕 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: H02M3/157 分类号: H02M3/157
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 王英;张立达
地址: 美国加*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 描述了一种电源。所述电源包括同步采样比较器。所述同步采样比较器包括接收基准电压的第一输入。所述同步采样比较器还包括接收反馈信号的第二输入。所述电源还包括功率场效应晶体管(FET)。所述电源还包括耦接到所述功率FET并且耦接到所述第二输入的电感器。所述功率FET使用所述电感器生成电源电压。所述电源电压是直流(DC)电源电压。
搜索关键词: 同步 采样 比特 开关 模式 电源
【主权项】:
一种电源,包括:同步采样比较器,包括接收基准电压的第一输入以及接收反馈信号的第二输入,其中所述同步采样比较器在采样频率处对所述基准电压和所述反馈信号进行比较;功率场效应晶体管(FET);以及电感器,耦接到所述功率场效应晶体管并且耦接到所述同步采样比较器的所述第二输入,其中所述功率场效应晶体管使用所述电感器生成电源电压,并且其中所述电源电压是直流(DC)电源电压,其中所述同步采样比较器输出具有切换频率的串行数据流,并且其中所述切换频率在所述电源电压上产生频率,其中所述电源还包括可编程延迟线,并且其中基于从积分器接收的增加/减少延迟变化,所述可编程延迟线向所述串行数据流引入用于降低所述串行数据流的切换频率的延迟。
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