[发明专利]用于制造转换薄板的方法和转换薄板有效
| 申请号： | 201180051044.1 | 申请日： | 2011-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN103168371A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 马库斯·里希特 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张春水;田军锋 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 提出一种用于制造用于发射辐射的半导体器件的至少一个转换薄板（4）的方法，其中将基本材料（3）连同包含在基本材料中的转换材料借助于双层模板（1）施加到衬底（2）上。此外，提出一种用于发射辐射的半导体器件的转换薄板（4），所述转换薄板具有基本材料（3）和嵌在基本材料中的转换材料，其中转换薄板（4）的厚度（D2）位于60μm和170μm之间的范围中，包括边界值。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 转换 薄板 方法 | ||
【主权项】：
用于制造用于发射辐射的半导体器件的至少一个转换薄板（4）的方法，在所述方法中，将基本材料（3）连同包含在所述基本材料中的转换材料借助于双层模板（1）施加到衬底（2）上。
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