[发明专利]半导体器件

摘要

本发明的课题在提供一种以使用SGT的高集成确保动作安定性的静态型存储器单元。本发明的半导体器件，其特征在于，为包括下述构件的6晶体管SRAM单元：由形成于第1栅极绝缘膜周围的至少包括金属的第1栅极电极所构成的SGT构成的第1驱动器晶体管、由形成于第2栅极绝缘膜周围的至少包括金属的第2栅极电极所构成的SGT构成的第1选择晶体管、形成于第3栅极绝缘膜周围的至少包括金属的第3栅极电极所构成的SGT构成的第1负载晶体管、及连接于前述第2栅极电极的第1栅极配线的6晶体管SRAM单元；前述驱动器晶体管的岛状半导体层的周围长度未达选择晶体管的岛状半导体层的周围长度的2倍；施加于第2栅极电压的电压较施加于选择晶体管的岛状半导体层上部的第1导电型高浓度半导体层的电压为低；藉此以解决上述课题。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，为包括下述构件的6晶体管SRAM单元：第1驱动器晶体管，由第1岛状半导体层、形成于前述第1岛状半导体层的上部的第1个第1导电型高浓度半导体层、形成于前述第1岛状半导体层的下部的第2个第1导电型高浓度半导体层、形成在前述第1个第1导电型高浓度半导体层与前述第2个第1导电型高浓度半导体层之间的第1个第2导电型半导体层、形成于前述第1个第2导电型半导体层周围的第1栅极绝缘膜、及形成于前述第1栅极绝缘膜周围的至少包括金属的第1栅极电极所构成；第1选择晶体管，由第2岛状半导体层、形成于前述第2岛状半导体层的上部的第3个第1导电型高浓度半导体层、形成于前述第2岛状半导体层的下部的第4个第1导电型高浓度半导体层、形成在前述第3个第1导电型高浓度半导体层与前述第4个第1导电型高浓度半导体层之间的第2个第2导电型半导体层、形成于前述第2个第2导电型半导体层周围的第2栅极绝缘膜、及形成于前述第2栅极绝缘膜周围的至少包括金属的第2栅极电极所构成；第1负载晶体管，由第3岛状半导体层、形成于前述第3岛状半导体层的上部的第3个第2导电型高浓度半导体层、形成于前述第3岛状半导体层的下部的第4个第2导电型高浓度半导体层、形成在前述第3个第2导电型高浓度半导体层与前述第4个第2导电型 高浓度半导体层之间的第5个第1导电型半导体层、形成于前述第5个第1导电型半导体层周围的第3栅极绝缘膜、及形成于前述第3栅极绝缘膜周围的至少包括金属的第3栅极电极所构成；以及第1栅极配线，连接于前述第2栅极电极；前述第1岛状半导体层的周围长度未达前述第2岛状半导体层的周围长度的2倍；施加于前述第2栅极电极的电压较施加于前述第3个第1导电型高浓度半导体层的电压为低。