[发明专利]纳米多孔材料、纳米多孔材料的制造以及纳米多孔材料的应用有效

专利信息
申请号: 201180049356.9 申请日: 2011-09-09
公开(公告)号: CN103210029A 公开(公告)日: 2013-07-17
发明(设计)人: 伊赞·斯瓦尼亚;保罗·扎瓦拉里韦拉;文森特·恩古耶 申请(专利权)人: 剑桥企业有限公司
主分类号: C08J9/26 分类号: C08J9/26;C08J9/40;C08J5/22;B01D71/80;B01D67/00;H01G11/26;H01G11/36;H01G11/46;H01G11/50;H01G11/86
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 高瑜;郑霞
地址: 英国*** 国省代码: 英国;GB
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 公开了具有多个薄片的纳米多孔材料。穿透孔的阵列穿过每个薄片。相邻薄片由插入的间隔层间隔开。间隔层包括与相邻薄片整体形成并在相邻薄片之间延伸的间隔元件阵列。间隔层具有在间隔层中延伸的相互连通的孔隙。这样的纳米多孔材料可利用嵌段共聚物材料来制造。首先,形成在连续基质中包括隔离岛的三维阵列的形态。岛由嵌段共聚物的至少一种岛组分形成,并且基质由嵌段共聚物的至少一种基质组分形成。然后,在基质中在岛中的至少一些之间形成通道。然后选择性地除去岛组分以留下具有相互连通的孔的阵列的基质。
搜索关键词: 纳米 多孔 材料 制造 以及 应用
【主权项】:
一种制造纳米多孔材料的方法,包括以下步骤:形成在连续基质中包括隔离岛的三维阵列的形态,其中所述岛由嵌段共聚物的至少一种岛组分形成,并且所述基质由所述嵌段共聚物的至少一种基质组分形成;及在所述基质中在所述岛中的至少一些之间形成通道并选择性地除去所述岛组分以留下具有相互连通的孔的阵列的所述基质。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于剑桥企业有限公司,未经剑桥企业有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201180049356.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top