[发明专利]高频压电晶体复合材料、用于制造其的装置和方法有效
| 申请号： | 201180047348.0 | 申请日： | 2011-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN103262274B | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | P·韩;J·田;K·曼尼欧;B·斯通 | 申请（专利权）人： | H.C.材料公司 |
| 主分类号： | H01L41/16 | 分类号： | H01L41/16;C04B35/491;C01G23/00;H01L41/187 |
| 代理公司： | 余姚德盛专利代理事务所(普通合伙)33239 | 代理人： | 戚秋鹏 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明一般涉及高频压电晶体复合材料、用于制造高频压电晶体复合材料的装置和方法。在适应性的实施方案中，包含成像换能器组件的用于高频(＞20MHz)应用的改进的成像装置、尤其是医学成像装置或距离成像装置与信号图像处理器耦合。另外，所提出的发明提供了用于基于光刻法的微加工压电晶体复合材料的系统及其使得性能参数改进的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 高频 压电 晶体 复合材料 用于 制造 装置 方法 | ||
【主权项】：
基于压电PMN‑PT的晶体复合材料，可用于可操作超声成像的医学成像装置组合，所述晶体复合材料具有由如下公式表示的晶体组成：x*Pb(B’1/2B”1/2)O3‑y*PbTiO3‑(1‑x‑y)*Pb(Mg1/3Nb2/3)O3；其中，x被限定为0.00至0.50的摩尔百分比；y被限定为0.00至0.50的摩尔百分比；B’表示铟(In)、镱(Yb)、钪(Sc)、锆(Zr)或铁(Fe)；并且B”表示铌(Nb)或钽(Ta)；其中，所述晶体复合材料包含添加剂，所述添加剂选自由如下构成的组：高达总分批重量的5％(wt％)的锰(Mn)以及高达总分批重量的10％(wt％)的铈(Ce)；而且其中：所述晶体复合材料具有0.65至0.90的厚度机电耦合因数k1。
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