[发明专利]反向导通功率半导体器件

摘要

提供具有晶圆（10）的反向导通功率半导体器件（1），该晶圆（10）具有第一主侧（11）和第二主侧（15），该第二主侧（15）设置成平行于该第一主侧（11）。该器件包括多个二极管单元（96）和多个IGCT单元（91），其中每个IGCT单元在第一和第二主侧（11，15）之间包括按下列顺序的层：－阴极电极（2），－具有第一传导类型的第一阴极层（4），－具有第二传导类型的基极层（6），－具有第一传导类型的漂移层（3），－具有第一传导类型的缓冲层（8），－具有第二传导类型的第一阳极层（5），以及－第一阳极电极（25）。每个IGCT单元（91）进一步包括门电极（7），其设置在第一阴极层（4）的横侧并且通过基极层（6）而与它分开。每个二极管单元（96）包括：在第一主侧（11）上的第二阳极电极（28），其与具有第二传导类型的第二阳极层（55）接触，该第二阳极层（55）通过漂移层（3）而与基极层（6）分开；和在第二主侧（15）上具有第一传导类型的第二阴极层（45），其设置成与第一阳极层（5）交替。该器件包括其中二极管单元（96）的第二阳极层（55）与IGCT单元（91）的第一阴极层（4）交替的至少一个混合部分（99）。

主权项

一种具有晶圆（10）的反向导通功率半导体器件（1），所述晶圆（10）具有第一主侧（11）和第二主侧（15），所述第二主侧（15）设置成平行于所述第一主侧（11），所述器件包括多个二极管单元（96）和多个IGCT单元（91），其中每个IGCT单元（91）在所述第一和第二主侧（11，15）之间包括按下列顺序的层：－阴极电极（2），－具有第一传导类型的第一阴极层（4），－具有第二传导类型的基极层（6），－具有第一传导类型的漂移层（3），－具有第一传导类型的缓冲层（8），－具有第二传导类型的第一阳极层（5），－第一阳极电极（25），其中每个IGCT单元（91）进一步包括门电极（7），其设置在所述第一阴极层（4）的横侧并且通过所述基极层（6）与所述第一阴极层（4）分开，其中每个二极管单元（96）包括：在所述第一主侧（11）上的第二阳极电极（28）；具有第二传导类型的第二阳极层（55），其通过所述漂移层（3）与所述基极层（6）分开；以及具有第一传导类型的第二阴极层（45），其设置成与所述第二主侧（15）上的所述第一阳极层（5）交替，并且其中所述器件包括其中二极管单元（96）的第二阳极层（55）与IGCT单元（91）的第一阴极层（4）交替的至少一个混合部分（99）。