[发明专利]形成完全嵌入式非凹凸内建层封装件的方法和由此形成的结构在审
| 申请号： | 201180045470.4 | 申请日： | 2011-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN103119711A | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | R·K·纳拉;M·J·曼努沙洛;P·马拉特卡 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/12;H01L23/485 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 邢德杰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述了形成微电子封装结构的方法和由此形成的相关结构。那些方法可包括形成嵌入在无芯衬底中的管芯，其中模制复合物围住管芯并且管芯包括：在管芯第一侧上的TSV连接和在管芯第二侧上的C4焊盘，在模制复合物的第一侧和第二侧上的介电材料，以及耦合至C4焊盘和TSV焊盘的互连结构。各实施例进一步包括形成封装结构，其中多个管芯被完全地嵌入到BBUL封装件内而没有PoP焊点。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 完全 嵌入式 凹凸 内建层 封装 方法 由此 结构 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：将第一管芯附连至载体的第一侧；将第二管芯附连至所述载体的第二侧；在所述载体的所述第一侧上形成介电材料以及在所述载体的所述第二侧上形成介电材料；贯穿所述载体的所述第一侧上的介电材料形成通路连接和互连结构以连接于所述第一管芯，并贯穿所述第二侧上的介电材料形成通路连接和互连结构以连接于所述第二管芯；将第三管芯附连在所述载体的所述第一侧上的介电材料上，并将第四管芯附连在所述载体的所述第二侧上的介电材料上；在所述第三管芯上形成附加的介电材料和互连结构并在所述第四管芯上形成附加的介电材料和互连结构；以及沿所述载体将所述第一和第三管芯从所述第二和第四管芯分离以形成两个独立的封装件结构。
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