[发明专利]利用晶圆间结合的中子检测器

摘要

一种制造中子检测器的方法包括：通过至少在基板上形成氧化物层、在氧化物层上形成活性半导体层并且在活性半导体层上形成互连层而形成第一晶圆；形成从互连层通过活性半导体层和氧化物层延伸的至少一条导电径路；在互连层和第二晶圆之间形成电路转移结合部；在形成电路转移结合部之后移除第一晶圆的基板；在移除第一晶圆的基板之后在氧化物层上沉积结合垫，其中结合垫被电连接到导电径路；在移除第一晶圆的基板之后在氧化物层上沉积阻挡层；和，在沉积阻挡层之后在阻挡层上沉积中子转换层。

主权项

一种制造中子检测器的方法，所述方法包括：通过至少在基板上形成氧化物层、在所述氧化物层上形成活性半导体层并且在所述活性半导体层上形成互连层而形成第一晶圆；形成从所述互连层通过所述活性半导体层和所述氧化物层延伸的至少一条导电径路；在所述第一晶圆的互连层和第二晶圆之间形成电路转移结合部；在形成所述电路转移结合部之后移除所述第一晶圆的所述基板；在移除所述第一晶圆的所述基板之后在所述第一晶圆的所述氧化物层上沉积结合垫，所述结合垫被电连接到所述导电径路；在移除所述第一晶圆的所述基板之后在所述第一晶圆的所述氧化物层上沉积阻挡层；和在沉积所述阻挡层之后在所述阻挡层上沉积中子转换层。