[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201180043623.1 | 申请日： | 2011-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN103098189A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 木下雄介;田村聪之;按田义治;上田哲三 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/338 | 分类号： | H01L21/338;H01L21/28;H01L29/41;H01L29/47;H01L29/778;H01L29/812;H01L29/872 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置，具有：在第一氮化物半导体层(13)上形成、且带隙比第一氮化物半导体层(13)大的第二氮化物半导体层(14)；贯穿第二氮化物半导体层(14)且将第一氮化物半导体层(13)的一部分除去的凹部；以及埋入凹部的电极(17)。在第一氮化物半导体层(13)的与第二氮化物半导体层(14)的界面的正下方具有二维电子气体层(13a)。电极(17)和第二氮化物半导体层(14)在第一接触面(16a)相接。电极(17)和二维电子气体层(13a)的部分在连接于第一接触面(16a)之下的第二接触面(16b)相接。第一接触面(16a)是凹部的宽度从下到上变宽的形状。在连接处，第二接触面(16b)相对于第一氮化物半导体层(13)的上表面的倾斜比第一接触面(16a)更陡峭。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具有：第一氮化物半导体层；在上述第一氮化物半导体层上形成、且带隙比上述第一氮化物半导体层大的第二氮化物半导体层；以贯穿上述第二氮化物半导体层且将上述第一氮化物半导体层的一部分除去的方式形成的凹部；以及以埋入上述凹部内的方式形成的欧姆电极，在上述第一氮化物半导体层中的与上述第二氮化物半导体层的界面的正下方形成有二维电子气体层，上述欧姆电极和上述第二氮化物半导体层至少在作为上述凹部的侧面的一部分的第一接触面上接触，上述欧姆电极和上述第一氮化物半导体层中的上述二维电子气体层的部分，至少在作为上述凹部的侧面的一部分、且连接于上述第一接触面之下的第二接触面上接触，上述第一接触面是上述凹部的宽度从上述第二氮化物半导体层的下表面侧向上表面层变宽的形状，在上述第一接触面与上述第二接触面的连接之处，上述第二接触面以上述第一氮化物半导体层的上表面为基准的倾斜比上述第一接触面更陡峭。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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