[发明专利]放射线检测器的制造方法有效
| 申请号： | 201180042753.3 | 申请日： | 2011-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN103081127A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 徳田敏;田边晃一;吉牟田利典;岸原弘之;贝野正知;吉松圣菜;佐藤敏幸;桑原章二 | 申请（专利权）人： | 株式会社岛津制作所;独立行政法人国立高等专门学校机构 |
| 主分类号： | H01L31/09 | 分类号： | H01L31/09;G01T1/24;H01L27/14;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 即使在通过蒸镀或升华来形成由多晶膜或多晶的层叠膜构成的检测层的第一过程的中途不能再供给Cl(氯)，也会在第一过程的开始或过程的中途供给与源S不同的附加源(例如HCl等含有Cl的气体)。可以从成膜初期直至结束时为止，对为CdTe(碲化镉)、ZnTe(碲化锌)或CdZnTe(碲锌镉)的多晶或多晶的层叠膜的检测层在厚度方向上均匀地掺杂Cl。其结果，可以使晶粒均匀化并且使检测特性均匀化。 | ||
| 搜索关键词： | 放射线 检测器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种放射线检测器的制造方法，其特征在于，其为制造基板具备感应放射线的检测层的放射线检测器的方法，所述检测层的形成过程包括：第一过程，将含有Cd(镉)的单质、Te(碲)的单质、Zn(锌)的单质、CdTe(碲化镉)、ZnTe(碲化锌)、CdZnTe(碲锌镉)中的至少一种的第一材料作为源，通过蒸镀或升华法形成多晶膜或多晶的层叠膜；和第二过程，在该第一过程的开始或过程的中途，供给与所述源不同的Cl(氯)的单质或Cl化合物作为附加源，并进行加热，使所述多晶膜或多晶的层叠膜生长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
