[发明专利]长有碳纳米管金属基板及其制造方法无效
| 申请号： | 201180042615.5 | 申请日： | 2011-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN103079714A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 图沙·K·沙赫;布兰登·凯尔·马利特;吉加·M·帕特尔 | 申请（专利权）人： | 应用奈米结构公司 |
| 主分类号： | B05D5/12 | 分类号： | B05D5/12 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 李志东;贾玉 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明说明了在金属基材上成长碳纳米管的方法。所述方法包含：于金属基材上沉积触媒材料，以形成富载触媒的金属基材；选择性的在所述触媒材料之前、之后或与其同时沉积非触媒材料于所述金属基材上；运送所述富载触媒的金属基材通过碳纳米管成长反应器，所述碳纳米管成长反应器中含有碳纳米管成长条件；以及于所述富载触媒的金属基材上成长碳纳米管。当正在成长碳纳米管时，所述富载触媒的金属基材视需要而保持为静止。所述触媒材料可为触媒或触媒前驱物。所述触媒材料与选择性的非触媒材料可经由例如喷涂或浸涂技术而从一种或多种溶液沉积在金属基材上。 | ||
| 搜索关键词： | 长有碳 纳米 金属 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种在用于合成碳纳米管且具有碳纳米管成长条件的反应器中进行的连续式碳纳米管成长方法，包含：于金属基材上沉积触媒材料，以形成富载触媒的金属基材；于所述金属基材上沉积非触媒材料；其中所述非触媒材料是在所述触媒材料之前、之后或与所述触媒材料同时沉积；以连续方式运送所述富载触媒的金属基材通过所述反应器；以及于所述富载触媒的金属基材上成长碳纳米管。
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