[发明专利]等离子处理装置有效

专利信息
申请号: 201180042545.3 申请日: 2011-09-09
公开(公告)号: CN103202105A 公开(公告)日: 2013-07-10
发明(设计)人: 节原裕一;江部明宪 申请(专利权)人: EMD株式会社
主分类号: H05H1/46 分类号: H05H1/46;C23C16/509;H01L21/205;H01L21/3065
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 袁伟东
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明公开一种等离子处理装置,其能够以比外部天线方式的等离子处理装置高的密度生成等离子,并且能够抑制作为内部天线方式的问题点的、杂质向被处理物的混入或颗粒的产生。本发明的等离子处理装置具有金属制的真空容器(11)、在真空容器(11)的上壁(112)设置的贯通孔(空洞)的内部配置有高频天线(18)的天线配置部(14)、以及覆盖上壁(112)的内表面(1121)整体的电介质制的分隔板(15)。在该等离子处理装置中,通过上壁(112)的内表面(1121)侧整体由分隔板(15)覆盖,由此在内表面(1121)与分隔板(15)之间不会产生台阶,因此能够防止在台阶部分产生附着物引起的颗粒的产生。
搜索关键词: 等离子 处理 装置
【主权项】:
一种等离子处理装置,其特征在于,具备:a)密闭容器,其用于在内部进行等离子处理,且具有周围由大致正交棱线包围的壁;b)天线配置部,其设置在所述壁的内表面与外表面之间,且由在内表面侧具有开口的空洞构成;c)高频天线,其配置在所述天线配置部内;d)电介质制的分隔板,其覆盖所述壁的内表面的由所述大致正交棱线包围的部分整体。
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