[发明专利]集成鳍式场效应晶体管（FINFET）及其制作方法

摘要

一种集成鳍式场效应晶体管（FinFET）和在块体晶片上制作这种装置（具有浅沟槽隔离（STI）区域上方的EPI界定的鳍高）的方法。在半导体块体内FinFET通道位于STI区域上面，而鳍片延伸超过所述STI区域进入被植入所述半导体块体内的源极和漏极区域。在具有块体源极和漏极区域的情况下，提供减小的外部FinFET电阻，且在鳍片延伸至块体源极和漏极区域的情况下，提供相比于传统绝缘体上硅（SOI）装置的改善的热性质。

主权项

一种包括集成鳍式场效应晶体管（FinFET）的设备，其包括：块体区域；多个大致平行的浅沟槽隔离（STI）区域，其安置在所述块体区域的第一部分内；多个源极和漏极区域，其每一个在所述块体区域的第二部分内安置在所述多个STI区域中的相邻区域之间；多个鳍片区域，其安置为大致垂直于所述多个STI区域，且其每一个包括：第一部分，其安置在所述多个STI区域的一部分上方，和第二部分，其安置在所述多个源极和漏极区域的一部分内；和多个栅极区域，其每一个安置在所述多个鳍片区域的相应部分和所述多个STI区域中的相应一个上方且侧向远离所述多个源极和漏极区域中的相邻区域。