[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

半导体装置（1000）包括：具有栅极配线（3a）、源极和漏极配线（13as、13ad）以及岛状的氧化物半导体层（7）的薄膜晶体管（103）；和具有由与栅极配线（3a）相同的导电膜形成的第一电极（3b）、由与源极配线（13as）相同的导电膜形成的第二电极（13b）以及位于第一和第二电极之间的介电体层的电容元件（105），栅极绝缘层（5）具有包含与氧化物半导体层（7）接触并且包含氧化物的第一绝缘膜（5A）、和配置于第一绝缘膜的栅极电极一侧并且具有比第一绝缘膜高的介电常数的第二绝缘膜（5B）的叠层结构，介电体层包含第二绝缘膜（5B）而不包含第一绝缘膜（5A）。由此，能够在不使CS电容等电容元件的电容值降低的情况下抑制氧化物半导体层的氧缺损所致的劣化。

主权项

一种半导体装置，其特征在于：所述半导体装置包括：基板；和设置在所述基板上的薄膜晶体管和电容元件，所述薄膜晶体管包括：岛状的氧化物半导体层，其具有沟道区域和分别位于所述沟道区域的两侧的第一接触区域和第二接触区域；以与所述氧化物半导体层的至少沟道区域重叠的方式配置的栅极配线；形成在所述栅极配线与所述氧化物半导体层之间的栅极绝缘层；与所述第一接触区域电连接的源极配线；和与所述第二接触区域电连接的漏极配线，所述电容元件包括：由与所述栅极配线相同的导电膜形成的第一电极；由与所述源极配线相同的导电膜形成的第二电极；和位于所述第一电极和第二电极之间的介电体层，所述栅极绝缘层具有包含第一绝缘膜和第二绝缘膜的叠层结构，所述第一绝缘膜与所述氧化物半导体层接触并包含氧化物，所述第二绝缘膜配置于所述第一绝缘膜的所述栅极电极一侧，具有比所述第一绝缘膜高的介电常数，所述介电体层包含所述第二绝缘膜，并且不包含所述第一绝缘膜。