[发明专利]多通道DRAM系统中的负载平衡方案有效
| 申请号： | 201180039039.9 | 申请日： | 2011-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN103069402A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 王风;顾时群;金郑海;马修·迈克尔·诺瓦克 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F13/16 | 分类号： | G06F13/16 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 多DRAM系统中的负载平衡包括使存储器数据跨两个或两个以上存储器通道交错。通过存储器控制器控制对所述存储器通道的存取。总线主控装置经由互连系统耦合到所述存储器控制器，且存储器请求从所述总线主控装置传输到所述存储器控制器。如果在存储器通道中检测到拥塞，那么产生拥塞信号，且将其传输到所述总线主控装置。基于所述拥塞信号，存储器请求被相应地撤消或被重新路由到较不拥塞的存储器通道。 | ||
| 搜索关键词： | 通道 dram 系统 中的 负载 平衡 方案 | ||
【主权项】：
一种用于多通道动态随机存取存储器DRAM系统中的负载平衡的方法，所述方法包括：使存储器数据跨两个或两个以上存储器通道交错；用存储器控制器控制对所述存储器通道的存取；经由互连系统将总线主控装置耦合到所述存储器控制器；将存储器请求从所述总线主控装置传输到所述存储器控制器；响应于去往第一存储器控制器的存储器请求而检测第一存储器通道中的拥塞；产生所述第一存储器通道的拥塞信号；以及将所述拥塞信号传输到所述总线主控装置。
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