[发明专利]形成具有弯曲压电膜的装置有效

专利信息
申请号: 201180036752.8 申请日: 2011-07-22
公开(公告)号: CN103026520A 公开(公告)日: 2013-04-03
发明(设计)人: 保罗·A·侯森汤恩;杰弗里·比克迈尔;安德烈亚斯·比布尔;麻丝·G·奥特斯森;格雷戈里·德布拉邦德;陈振方;马克·尼珀姆尼萨;杉本真也 申请(专利权)人: 富士胶片株式会社
主分类号: H01L41/33 分类号: H01L41/33;H01L41/332
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 汤雄军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 公开了一种用于形成具有弯曲压电膜的致动器的方法。所述方法使用具有被平坦表面包围的弯曲表面的轮廓转移基板形成弯曲压电膜。在从弯曲压电膜的下侧移除轮廓转移基板之前,用于压电致动器的压电材料至少沉积在轮廓转移基板的弯曲表面上。产生的弯曲压电膜包括为柱状并对准的粒状结构,并且所有或基本上所有柱状晶粒局部垂直于压电膜的弯曲表面。
搜索关键词: 形成 具有 弯曲 压电 装置
【主权项】:
一种制造MEMS致动器的方法,包括以下步骤:在轮廓转移基板的第一侧中形成弯曲表面,所述轮廓转移基板的第一侧包括包围所述弯曲表面的平坦表面;在所述轮廓转移基板的与所述第一侧相对的第二侧中形成凹部,其中所述凹部和所述弯曲表面对准;将蚀刻停止层沉积在所述轮廓转移基板的第一侧上,所述蚀刻停止层至少覆盖所述轮廓转移基板的弯曲表面;在所述蚀刻停止层上沉积压电层,所述压电层至少覆盖所述轮廓转移基板的弯曲表面;以及从所述轮廓转移基板的第二侧,在所述凹部中蚀刻轮廓转移基板以露出所述蚀刻停止层。
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